[发明专利]一种基于STT-MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法

摘要

本申请公开了一种基于STT‑MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法，所述固态存储器件包括磁性随机存储器STT‑MRAM和存储介质NAND flash。本申请利用STT‑MRAM的高速读写性能和掉电非易失性能，采用STT‑MRAM作为固态存储器件控制器内的高命中LBA数据缓存，简化高命中LBA的响应路径，增强系统的随机访问性能。且当发生GC时，利用STT‑MRAM中的LBA读写次数数据，将高命中LBA数据统一放入目的BLOCK中，以便STT‑MRAM缓冲区中的数据缺失或损坏时可将高命中LBA数据一次性读取至STT‑MRAM中缓冲，减少响应时间。

主权项

1.一种基于STT‑MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法，所述固态存储器件包括磁性随机存储器STT‑MRAM和存储介质NAND flash，其特征在于，所述基于STT‑MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法，包括：在STT‑MRAM中存储NAND flash的所有逻辑地址LBA的读写次数；根据LBA的读写次数选取预设占比的LBA作为高命中LBA，取NAND flash中与高命中LBA对应的数据作为高命中LBA数据，将高命中LBA数据存储在STT‑MRAM的缓冲区中；在收到读操作命令时，更新STT‑MRAM中读操作命令请求的目的LBA的读写次数，若目的LBA为高命中LBA，则将缓冲区中与目的LBA对应的高命中LBA数据返回；否则进行常规读操作；在收到写操作命令时，更新STT‑MRAM中写操作命令请求的目的LBA的读写次数，若目的LBA为高命中LBA，则将缓冲区中与目的LBA对应的高命中LBA数据进行改写；否则进行常规写操作。