[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、电子装置基板及电子装置有效
| 申请号： | 201910463831.5 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110137084B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 汪军;王东方;王海涛;李广耀;王庆贺;胡迎宾;张扬;宋威;张涛;钱国平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/45;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制备方法、电子装置基板及电子装置，该薄膜晶体管的制备方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成金属层，金属层包括彼此绝缘的第一部分和第二部分；在金属层上形成有源层，有源层包括源极区和漏极区，金属层的第一部分接触源极区，金属层的第二部分接触漏极区；以及通过金属层对有源层导体化处理，以使源极区和漏极区被导体化。该制备方法降低了薄膜晶体管的有源层的导体化区域存在的接触不良的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成金属层，其中，所述金属层包括彼此绝缘的第一部分和第二部分；在所述金属层上形成有源层，其中，所述有源层包括源极区和漏极区，所述金属层的所述第一部分接触所述源极区，所述金属层的所述第二部分接触所述漏极区；以及通过所述金属层对所述有源层导体化处理，以使所述源极区和所述漏极区被导体化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
