[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910466683.2 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110875375A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 卢昶佑;姜明吉;金昊俊;裵金钟;裵东一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据示例实施例的半导体器件包括：衬底，在彼此相交的第一方向和第二方向上延伸；纳米线，在所述衬底上并在所述第二方向上彼此间隔开；栅电极，在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此间隔开，并围绕所述纳米线以与所述纳米线竖直地叠置；外部隔墙，在所述衬底上并覆盖所述纳米线上的所述栅电极的侧壁；以及隔离层，在所述栅电极之间并在所述第一方向上延伸，其中，所述隔离层的上表面与所述栅电极的上表面齐平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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