[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910470609.8 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN112018034A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;陈卓凡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；形成具有掩膜开口的硬掩膜层，掩膜开口至少露出相邻两个伪栅结构所对应的栅极掩膜层顶部、以及与伪栅结构相邻层间介质层的部分顶部，掩膜开口的延伸方向垂直于伪栅结构的延伸方向；去除掩膜开口露出的栅极掩膜层；刻蚀掩膜开口露出的部分厚度层间介质层，形成凹槽，凹槽底部露出的层间介质层顶部与伪栅结构顶部齐平或者低于伪栅结构顶部；在凹槽和掩膜开口的侧壁上形成掩膜侧墙，沿垂直于伪栅结构的延伸方向，掩膜侧墙露出伪栅结构顶部，掩膜侧墙与硬掩膜层、剩余栅极掩膜层构成掩膜结构层；以掩膜结构层为掩膜去除凹槽底部露出的伪栅结构，形成沟槽。本发明有利于提升半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
