[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910471972.1 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN112017968B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 熊鹏;陆建刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括保护环区，基底上形成有介电层，介电层内形成有顶层互连线，介电层露出顶层互连线顶部；形成至少覆盖介电层和顶层互连线的第一钝化层，第一钝化层中形成有露出顶层互连线的第一开口，保护环区的第一开口的开口宽度为第一尺寸；形成焊垫层，焊垫层覆盖第一开口底部和侧壁、以及第一开口两侧第一钝化层的部分顶部，位于第一开口底部上的焊垫层的厚度为第二尺寸；其中，第一尺寸大于或等于1.5倍的第二尺寸；形成保形覆盖焊垫层和第一钝化层的第二钝化层。本发明实施例有利于提高半导体结构的可靠性和凸块制程的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
