[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本公开提供了制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：设计布局；基于所设计的布局制造光掩模；以及使用光掩模进行光刻工艺以在衬底上形成图案。制造光掩模包括：制备包括第一芯片区域和第二芯片区域的光掩模；分别从第一芯片区域和第二芯片区域提取第一图像和第二图像；对第一图像和第二图像求平均以生成从其排除第一图像与第二图像之间的差异区域的初始标准图像；基于该布局将正常图像插入到初始标准图像的与该差异区域对应的区域中以生成标准图像；以及将第一图像和第二图像中的每个与标准图像比较，以检测第一芯片区域和/或第二芯片区域的缺陷。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：/n设计布局；/n基于所述布局制造光掩模；以及/n使用所述光掩模进行光刻工艺以在衬底上形成图案，/n其中制造所述光掩模包括：/n制备包括第一芯片区域和第二芯片区域的所述光掩模；/n分别从所述第一芯片区域和所述第二芯片区域提取第一图像和第二图像；/n基于所述第一图像和所述第二图像，生成从其排除所述第一图像和所述第二图像之间的差异区域的初始标准图像；/n基于所述布局将正常图像插入到所述初始标准图像的与所述差异区域对应的区域中以生成标准图像；以及/n将所述第一图像和所述第二图像中的每个与所述标准图像比较，以检测所述第一芯片区域和所述第二芯片区域中的至少一个中的缺陷。/n