[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910488237.1 申请日: 2019-06-05
公开(公告)号: CN112054127A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 张天朔 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法,其中,所述量子点发光二极管包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层,所述叠层包括层叠设置的电子传输层、界面修饰层以及量子点发光层,所述电子传输层靠近阴极设置,所述量子点发光层靠近阳极设置,所述界面修饰层材料选自PFN以及PFN衍生物中的一种或多种。本发明通过在量子点发光层和电子传输层之间设置界面修饰层,可有效提高量子点发光层与电子传输层之间的导电性以及成膜均匀性,从而改善量子点发光二极管的发光效率并提升其使用寿命。
搜索关键词: 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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