[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。在包括由分栅型MONOS存储器形成的多个存储器区域的半导体器件中，存储器单元的阈值电压针对每个存储器区域被设置为不同值。通过形成具有不同材料或不同厚度的、作为构成数据区域中的存储器单元的存储器栅极电极的功函数膜的金属膜以及作为构成代码区域中的存储器单元的存储器栅极电极的功函数膜的金属膜，形成具有不同阈值电压的存储器单元。

主权项

1.一种半导体器件，包括：/n半导体衬底，具有第一区域和第二区域；/n第一突出，所述第一突出是所述半导体衬底的所述第一区域的一部分，从所述半导体衬底的上表面突出，并且沿着所述半导体衬底的所述上表面在第一方向上延伸；/n第二突出，所述第二突出是所述半导体衬底的所述第二区域的一部分，从所述半导体衬底的所述上表面突出，并且沿着所述半导体衬底的所述上表面在第二方向上延伸；/n第一栅极电极，经由包括第一电荷存储部分的第一绝缘膜，覆盖所述半导体衬底的、在所述第一区域中的所述上表面，并且覆盖所述第一突出的上表面和侧表面；/n第一源极区域和第一漏极区域，形成在所述第一突出中以便在所述第一方向上将第一沟道形成区域夹在其间，所述第一沟道形成区域是在所述第一突出内部的区域、并且用包括所述第一栅极电极的图案覆盖；/n第二栅极电极，经由包括第二电荷存储部分的第二绝缘膜，覆盖所述半导体衬底的、在所述第二区域中的所述上表面，并且覆盖所述第二突出的上表面和侧表面；以及/n第二源极区域和第二漏极区域，形成在所述第二突出中，以便在所述第二方向上将第二沟道形成区域夹在其间，所述第二沟道形成区域是在所述第二突出内部的区域，并且用包括所述第二栅极电极的图案覆盖，/n其中所述第一栅极电极、所述第一源极区域和所述第一漏极区域配置第一非易失性存储器单元，/n其中所述第二栅极电极、所述第二源极区域和所述第二漏极区域配置第二非易失性存储器单元，/n其中所述第一栅极电极包括第一金属膜，所述第一金属膜具有与所述第一沟道形成区域的功函数不同的第一功函数，/n其中所述第二栅极电极包括第二金属膜，所述第二金属膜具有与所述第二沟道形成区域的功函数不同的第二功函数，并且/n其中所述第一功函数和所述第二功函数彼此不同。/n