[发明专利]阵列基板及制作方法在审
| 申请号： | 201910491312.X | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110265406A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 胡小波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭示提供一种阵列基板及制作方法。所述方法包括步骤S10：提供基板，在所述基板上沉积形成金属层；步骤S20：图案化所述金属层，形成金属走线；以及步骤S30：将所述基板放置于真空腔室，进行热处理制程，对所述金属走线进行重结晶处理。在金属走线从熔融态重新结晶之后，组成金属走线的金属晶粒尺寸变大，所述金属走线膜层的晶界和缺陷减少，从而减小电子在所述金属走线传输过程中的散射程度，降低所述金属走线的电阻率，提高所述金属走线以及阵列基板的导电能力，由于金属走线导电能力的提高，因而可以缩减形成所述金属走线的金属层厚度，减小金属层对基板翘曲的硬性，提高物理气相沉积机台的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属走线 金属层 阵列基板 导电能力 基板 减小 机台 物理气相沉积 热处理 传输过程 基板放置 金属晶粒 缺陷减少 生产效率 真空腔室 电阻率 对基板 熔融态 图案化 重结晶 散射 沉积 晶界 膜层 翘曲 制程 制作 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：步骤S10：提供基板，在所述基板上沉积形成金属层；步骤S20：图案化所述金属层，形成金属走线；以及步骤S30：将所述基板放置于真空腔室，进行热处理制程，对所属金属走线进行重结晶处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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