[发明专利]一种Micro-LED的转移方法有效
申请号: | 201910497258.X | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN110190014B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 王莉莉;汪楚航;刘超;崔强伟;孟柯;龚林辉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L27/15 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供一种Micro‑LED的转移方法,涉及显示技术领域,可以实现LED晶粒的转移,同时降低或消除LED晶粒与目标基板之间的断差。Micro‑LED的转移方法包括将粘贴基板移动至供体基板的上方,并向靠近供体基板的方向移动粘贴基板,利用粘贴基板粘贴承载基板上的LED晶粒,以使LED晶粒与承载基板分离;将粘贴有多个LED晶粒的粘贴基板移动至目标基板的上方,LED晶粒相对于粘贴基板靠近目标基板,并进行对位使LED晶粒与目标基板上待设置LED晶粒的位置正对;将粘贴有多个LED晶粒的粘贴基板加热至第一温度,以使热熔胶膜熔化,LED晶粒与粘贴基板分离,LED晶粒转移至目标基板上;第一温度大于或等于热熔胶膜的熔化温度。 | ||
搜索关键词: | 一种 micro led 转移 方法 | ||
【主权项】:
1.一种Micro‑LED的转移方法,其特征在于,包括:提供一供体基板;所述供体基板包括承载基板以及位于所述承载基板上阵列排布的多个LED晶粒;提供一粘贴基板;所述粘贴基板包括底板以及设置在所述底板上的热熔胶膜;将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方,并向靠近所述供体基板的方向移动所述粘贴基板,利用所述粘贴基板粘贴所述承载基板上的所述LED晶粒,以使所述LED晶粒与所述承载基板分离;将粘贴有多个所述LED晶粒的所述粘贴基板移动至目标基板的上方,所述LED晶粒相对于所述粘贴基板靠近所述目标基板,并进行对位使所述LED晶粒与所述目标基板上待设置所述LED晶粒的位置正对;将粘贴有多个所述LED晶粒的所述粘贴基板加热至第一温度,以使所述热熔胶膜熔化,所述LED晶粒与所述粘贴基板分离,所述LED晶粒转移至所述目标基板上;所述第一温度大于或等于所述热熔胶膜的熔化温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910497258.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造