[发明专利]部件承载件及制造该部件承载件的方法有效
| 申请号： | 201910498454.9 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110581078B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 约翰尼斯·施塔尔;杰拉尔德·魏丁格尔;格哈德·施密德;安德里亚斯·兹鲁克 | 申请（专利权）人： | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/522;H01L23/528;H01L25/16;H05K1/18;H05K3/46 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彦;洪玉姬 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了包括阶梯式腔(150；250)的部件承载件(100；200a、200b)，在该阶梯式腔中嵌入有阶梯式部件组件(160；260)。该部件承载件包括(a)完全固化的电绝缘材料(M)和/或(b)底切部(254a)，该完全固化的电绝缘材料源自于该部件承载件(100)的至少一个电绝缘层结构(112)并且在周向围绕该阶梯式部件组件(160)，该底切部位于该阶梯式腔(250)的窄凹部(252)与宽凹部(254)之间的过渡区域中。还描述了用于制造这种部件承载件(100；200a、200b)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 部件 承载 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造部件承载件(100)的方法，所述方法包括：/n提供临时承载件(105)；/n提供具有窄凹部(152)的至少部分未固化的电绝缘层结构(112)，所述至少部分未固化的电绝缘层结构(112)附接到所述临时承载件(105)；/n提供包括至少一个电绝缘层结构(122)和/或至少一个导电层结构(123)的层叠置件，所述层叠置件具有宽凹部(154)；/n至少在所述窄凹部(152)内布置阶梯式部件组件(160)；以及/n通过使所述至少部分未固化的电绝缘层结构(112)固化来将所述至少部分未固化的电绝缘层结构(112)与所述层叠置件连接，使得所述阶梯式部件组件(160)布置在由所述窄凹部(152)和所述宽凹部(154)所限定的阶梯式腔(150)内。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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