[发明专利]发光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910498576.8 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110277379A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 黄建富;吕志强;林俊宇;邱新智 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/02;H01L33/36;H01L33/62;H01L21/66;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光元件及其制造方法，该制造方法包括提供第一基板；提供半导体叠层在第一基板上，将半导体叠层经图形化形成彼此分割的多个半导体叠层块，多个半导体叠层块包括第一半导体叠层块、第二半导体叠层块及第三半导体叠层块；提供永久基板，包含第一表面及第二表面；实行分离步骤将第一半导体叠层块及第三半导体叠层块与第一基板分离，且第一基板保留有第二半导体叠层块；实行第一接合步骤使第三半导体叠层块位于永久基板的第一表面上；以及实施第二接合步骤接合第一半导体叠层块或第二半导体叠层块于第二表面上；被接合至永久基板的第一半导体叠层块或第二半导体叠层块与第三半导体叠层块具有光学特征值的差异或电性特征值的差异。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体叠层 第一基板 接合 永久基板 第二表面 第一表面 发光元件 制造 分离步骤 图形化 电性 保留 分割 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，其特征在于，包括：基板，具有上表面；第一半导体叠层，位于该上表面上，该第一半导体叠层具有第一发光层与该上表面之间具有第一距离；第二半导体叠层，位于该上表面上，该第二半导体叠层具有第二发光层与该上表面之间具有第二距离；第三半导体叠层，位于该上表面上，该第三半导体叠层具有第三发光层与该上表面之间具有第三距离；其中，该第一半导体叠层、该第二半导体叠层与该第三半导体叠层发出不同颜色的光，且该第二距离不同于该第一距离及该第三距离。
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