[发明专利]太阳能芯片的制备方法及太阳能芯片在审
申请号: | 201910499757.2 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN112071948A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 李凯翔;潘世荣;杨发维 | 申请(专利权)人: | 领凡新能源科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0749 |
代理公司: | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 101407 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池制备技术领域,公开了一种太阳能芯片的制备方法,包括提供一基底,在所述基底上沉积阻挡层;在所述阻挡层上沉积第一钼膜层作为第一背电极层;在所述第一背电极层上沉积钼钠膜层作为第二背电极层;在所述第二背电极层上沉积第二钼膜层作为界面层;其中,在沉积所述第一背电极层和第二背电极层时通入目标流量的氧气以形成背电极层。本发明还公开了一种太阳能电池,其通过控制目标氧气比氩气比例增加了太阳能电池的电导率,提高了太阳能电池的各项性能。 | ||
搜索关键词: | 太阳能 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的