[发明专利]太阳能芯片的制备方法及太阳能芯片在审

专利信息
申请号: 201910499757.2 申请日: 2019-06-11
公开(公告)号: CN112071948A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 李凯翔;潘世荣;杨发维 申请(专利权)人: 领凡新能源科技(北京)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0749
代理公司: 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 代理人: 张婧
地址: 101407 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及太阳能电池制备技术领域,公开了一种太阳能芯片的制备方法,包括提供一基底,在所述基底上沉积阻挡层;在所述阻挡层上沉积第一钼膜层作为第一背电极层;在所述第一背电极层上沉积钼钠膜层作为第二背电极层;在所述第二背电极层上沉积第二钼膜层作为界面层;其中,在沉积所述第一背电极层和第二背电极层时通入目标流量的氧气以形成背电极层。本发明还公开了一种太阳能电池,其通过控制目标氧气比氩气比例增加了太阳能电池的电导率,提高了太阳能电池的各项性能。
搜索关键词: 太阳能 芯片 制备 方法
【主权项】:
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