[发明专利]耦合型场效应晶体管在审
| 申请号： | 201910500088.6 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111668295A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 井野户秀和;高田修;寺田直纯;北原宏良 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供的能够降低噪声的耦合型场效应晶体管具备：第1导电型的第1半导体层；元件分离绝缘体，设置于第1半导体层的上层部分，划分出有源区域；第2半导体层，设置于有源区域内的第1半导体层上，为第2导电型，且第1方向的端部从元件分离绝缘体分离；源极层，设置于第2半导体层上，为第2导电型，杂质浓度比第2半导体层的杂质浓度高；漏极层，设置于第2半导体层上，在与第1方向交叉的第2方向上从源极层分离，为第2导电型，杂质浓度比第2半导体层的杂质浓度高；以及栅极层，设置于第2半导体层上，配置于源极层与漏极层之间，从源极层及漏极层分离，为第1导电型。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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