[发明专利]次同步谐振的抑制方法、装置、存储介质及处理器有效
| 申请号： | 201910503353.6 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110212553B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 郑少亮;李绍辉;杜建;郭锦基;张相东;张君毅 | 申请（专利权）人： | 国家能源投资集团有限责任公司;神华国能集团有限公司;国网能源哈密煤电有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/24 | 分类号： | H02J3/24 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡 |
| 地址： | 100011 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种次同步谐振的抑制方法、装置、存储介质及处理器。其中，该方法包括：确定附加励磁阻尼控制器的第一控制参数和机端次同步阻尼控制器的第二控制参数，其中，第一控制参数包括附加励磁阻尼控制器每个控制回路的增益和相移时间常数，第二控制参数包括机端次同步阻尼控制器每个控制回路的增益、相移时间常数和相位变化参数；根据第一控制参数和第二控制参数，抑制附加励磁阻尼控制器与机端次同步阻尼控制器所处电路的次同步谐振。本发明解决了相关技术中采用单独的控制器参数抑制次同步谐振，导致效果不佳的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 同步 谐振 抑制 方法 装置 存储 介质 处理器 | ||
【主权项】：
1.一种次同步谐振的抑制方法，其特征在于，包括：确定附加励磁阻尼控制器的第一控制参数和机端次同步阻尼控制器的第二控制参数，其中，所述第一控制参数包括所述附加励磁阻尼控制器每个控制回路的增益和相移时间常数，所述第二控制参数包括所述机端次同步阻尼控制器每个控制回路的增益、相移时间常数和相位变化参数；根据所述第一控制参数和所述第二控制参数，抑制所述附加励磁阻尼控制器与所述机端次同步阻尼控制器所处电路的次同步谐振。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家能源投资集团有限责任公司;神华国能集团有限公司;国网能源哈密煤电有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司，未经国家能源投资集团有限责任公司;神华国能集团有限公司;国网能源哈密煤电有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910503353.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
