[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910508897.1 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110610913A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 崔朱逸;文光辰;朴秀晶;徐柱斌;安振镐;林东灿;藤崎纯史 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 11330 北京市立方律师事务所 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：导电图案，所述导电图案位于基板上；钝化层，所述钝化层位于所述基板上并包括部分地暴露所述导电图案的开口；以及焊盘结构，所述焊盘结构设置在所述钝化层上以及所述钝化层的所述开口中并连接到所述导电图案。所述焊盘结构包括填充所述钝化层的所述开口且宽度大于所述开口的宽度的第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层。所述第一金属层在所述第一金属层的外壁处具有第一厚度，在所述钝化层的顶表面上具有第二厚度以及在所述导电图案的顶表面上具有第三厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度，并且所述第三厚度大于所述第二厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 导电图案 第一金属层 焊盘结构 开口 半导体器件 顶表面 基板 第二金属层 外壁 填充 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n导电图案，所述导电图案位于基板上；/n钝化层，所述钝化层位于所述基板上并包括部分地暴露所述导电图案的开口；以及/n焊盘结构，所述焊盘结构设置在所述钝化层上以及所述钝化层的所述开口中并连接到所述导电图案，所述焊盘结构包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层填充所述钝化层的所述开口，所述第一金属层的宽度大于所述开口的宽度，所述第二金属层位于所述第一金属层上，所述第一金属层在所述第一金属层的外壁处具有第一厚度，在所述钝化层的顶表面上具有第二厚度以及在所述导电图案的顶表面上具有第三厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度，并且所述第三厚度大于所述第二厚度。/n
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