[发明专利]一种套刻标记形貌和测量条件优化方法有效
申请号: | 201910510463.5 | 申请日: | 2019-06-13 |
公开(公告)号: | CN110244527B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 石雅婷;李旷逸;陈修国;刘世元 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种套刻标记形貌和测量条件优化方法,属于光刻领域。首先,根据光刻工艺确定套刻标记形貌结构和材料光学常数。其次,通过解析或数值的建模方法可计算套刻光学表征曲线。然后,根据泰勒公式得到套刻测量重复性精度和准确度的表达式。接着,选择待优化变量和合适的多目标算法,对套刻测量重复性精度和准确度进行优化,获得多个帕累托优化结果。最后,验证多个帕累托优化结果的鲁棒性,选择鲁棒性较好的结果作为最终优化结果。本发明公开的方法对eDBO方法的套刻标记形貌和测量条件同时进行了优化,最终优化结果具有重复性精度高、测量准确度高、测量鲁棒性好的特点,满足了光刻工艺中套刻误差测量的需要。 | ||
搜索关键词: | 一种 标记 形貌 测量 条件 优化 方法 | ||
【主权项】:
1.一种套刻标记形貌和测量条件优化方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤101,确定套刻标记形貌结构和材料光学常数;步骤102,根据步骤101确定的套刻标记形貌结构的参数和材料光学常数,以及设定的测量条件,通过解析或数值建模方法计算单个光学表征量I,通过连续改变套刻偏移量δ计算得到套刻光学表征曲线;所述套刻光学表征曲线表征光学表征量I和套刻偏移量δ的函数关系;步骤103,在所述套刻光学表征曲线的原点展开泰勒公式,得到套刻测量重复性精度σ和准确度μ的表达式;步骤104,从所述套刻标记形貌结构的参数和所述测量条件中选定待优化变量,以套刻测量重复性精度σ和准确度μ作为优化目标,采用多目标优化算法对所述待优化变量进行迭代选择,获取包含多组所述套刻测量重复性精度σ和准确度μ的帕累托优化结果。
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