[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201910511593.0 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN111739942A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 郑志昌;朱馥钰;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/808;H01L21/336;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，提供一种半导体装置。所述半导体装置包括隔离结构，所述隔离结构设置在半导体衬底中，其中所述隔离结构的内周界划定出所述半导体衬底的装置区。栅极设置在所述装置区之上，其中所述栅极的外周界设置在所述隔离结构的所述内周界内。第一源极/漏极区设置在所述装置区中及所述栅极的第一侧上。第二源极/漏极区设置在所述装置区中及所述栅极的与所述第一侧相对的第二侧上。硅化物阻挡结构局部地覆盖所述栅极、局部地覆盖所述第一源极/漏极区且局部地覆盖所述隔离结构，其中所述硅化物阻挡结构的第一侧壁设置在所述栅极的第一相对侧壁之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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