[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910514927.X | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110610988A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 梅本康成;大部功;井手野馨;小屋茂树 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/737 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李慧;王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够增大过渡电压而将SOA扩大的半导体装置。配置于基板之上的集电极层、基极层、以及发射极层构成双极晶体管。发射极电极与发射极层进行欧姆接触。发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状。发射极层跟发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面与发射极层间的在发射极层的长边方向上的尺寸差大于发射极层与欧姆接触界面间的在发射极层的宽度方向上的尺寸差。 | ||
| 搜索关键词： | 发射极层 欧姆接触 发射极电极 尺寸差 半导体装置 双极晶体管 俯视观察 过渡电压 集电极层 基极层 长边 基板 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具有：/n集电极层、基极层、以及发射极层，它们配置于基板之上而构成双极晶体管；和/n发射极电极，其与所述发射极层进行欧姆接触，/n所述发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状，/n欧姆接触界面与所述发射极层间的在所述发射极层的长边方向上的尺寸差大于所述发射极层与所述欧姆接触界面间的在所述发射极层的宽度方向上的尺寸差，其中，所述欧姆接触界面是所述发射极层跟所述发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面。/n
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