[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201910514929.9 | 申请日: | 2019-06-14 |
公开(公告)号: | CN110634860B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 王文桢;武野纮宜;冈本淳 | 申请(专利权)人: | 株式会社索思未来 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H03K17/687;H03K19/094 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;王秀辉 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种抑制了逻辑电路的特性变动的半导体装置。半导体装置具有:半导体基板;第一标准单元,具备第一有源区域(ASC21)以及第二有源区域(ASC22);以及电源开关电路,该电源开关电路具备第一开关晶体管和第一缓冲器,其中,上述第一开关晶体管电连接在形成在半导体基板上的第一布线与第二布线之间,上述第一缓冲器与第一开关晶体管的栅极连接,并具备第三有源区域(ABU21)以及第四有源区域(ABU22)。在俯视时,第一缓冲器与第一标准单元在第一方向上邻接,在与第一方向不同的第二方向上第一有源区域(ASC21)的配置与第三有源区域(ABU21)的配置相互一致,在第二方向上第二有源区域(ASC22)的配置与第四有源区域(ABU22)的配置相互一致。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,/n半导体基板;/n第一标准单元,具备第一有源区域和第二有源区域;以及/n电源开关电路,具备第一开关晶体管和第一缓冲器,其中,上述第一开关晶体管电连接在形成于上述半导体基板上的第一布线与第二布线之间,上述第一缓冲器与上述第一开关晶体管的栅极连接,并具备第三有源区域和第四有源区域,/n在俯视时,上述第一缓冲器与上述第一标准单元在第一方向上邻接,/n在与上述第一方向不同的第二方向上,上述第一有源区域的配置与上述第三有源区域的配置相互一致,/n在上述第二方向上,上述第二有源区域的配置与上述第四有源区域的配置相互一致。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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