[发明专利]非易失性存储器设备及该非易失性存储器设备的读写方法有效
申请号: | 201910519880.6 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110619909B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 姜奭准;朴镇寿;严浩锡 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/26 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 非易失性存储器设备及该非易失性存储器设备的读写方法。一种非易失性存储器设备包括联接在全局位线和全局字线之间的存储器单元。位线控制电路被配置为基于读信号将位线读偏置电压施加到全局位线。回跳检测电路联接到全局字线,并且被配置为通过检测存储器单元的回跳来生成数据输出信号和电流使能信号。字线控制电路被配置为基于读信号将字线读偏置电压施加到全局字线,并且可基于电流使能信号增加流过存储器单元的电流量。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 设备 读写 方法 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性存储器设备,该非易失性存储器设备包括:/n存储器单元,该存储器单元联接在全局位线和全局字线之间;/n位线控制电路,该位线控制电路被配置为基于读信号将位线读偏置电压施加到所述全局位线;/n回跳检测电路,该回跳检测电路联接到所述全局字线,并且被配置为通过检测所述存储器单元的回跳来生成数据输出信号和电流使能信号;以及/n字线控制电路,该字线控制电路被配置为基于所述读信号将字线读偏置电压施加到所述全局字线,并且基于所述电流使能信号增加流过所述存储器单元的电流量。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910519880.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。