[发明专利]一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备有效
申请号: | 201910520928.5 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110265348B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 符鞠建 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66;H01L33/48 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备,该转运基板,包括:基底,位于基底一侧的反射层,位于反射层背离基底一侧的光学转换层,位于光学转换层背离反射层一侧的感光减粘膜;光学转换层,用于将一定波长范围的光线转换为非可见光;感光减粘膜,用于粘合发光二极管,并在非可见光照射后粘度降低以释放发光二极管。采用上述转运基板可以同时完成发光二极管的转运和检测,在绑定工艺之前发现并移走异常发光的发光二极管,避免了异常发光的发光二极管很难取下以及激光切割工艺损坏阵列基板等问题,简化了转运工艺制程,并提高了转运的良率和效率。此外,无需额外增加非可见光的光源,结构简单,检测成本较低。 | ||
搜索关键词: | 一种 转运 发光二极管 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种转运基板,其特征在于,包括:基底,位于所述基底一侧的反射层,位于所述反射层背离所述基底一侧的光学转换层,位于所述光学转换层背离所述反射层一侧的感光减粘膜;所述光学转换层,用于将一定波长范围的光线转换为非可见光;所述感光减粘膜,用于粘合发光二极管,并在非可见光照射后粘度降低以释放所述发光二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造