[发明专利]用于太阳能电池的无气泡的多晶硅

摘要

本发明提供了制造太阳能电池的方法。在一个实施例中，制造太阳能电池的方法包括在基板的背表面上形成非晶介电层，所述基板的所述背表面与所述基板的光接收表面相对。所述方法还包括通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述非晶介电层上形成微晶硅层。所述方法还包括通过PECVD在所述微晶硅层上形成非晶硅层。所述方法还包括对所述微晶硅层和所述非晶硅层进行退火以由所述微晶硅层和所述非晶硅层形成均质多晶硅层。所述方法还包括由所述均质多晶硅层形成发射极区。

主权项

1.一种背接触太阳能电池，包括：基板，其具有光接收表面和背表面；第一导电类型的第一多晶硅发射极区，其设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的背表面上；第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区，其设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的背表面上，所述第二多晶硅发射极区的一部分还形成在所述第一多晶硅发射极区的一部分上方，其中，所述第二多晶硅发射极区是第二导电类型的无气泡的多晶硅发射极区；第三薄介电层，其直接侧向设置在所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区之间；第一导电触点结构，其设置在所述第一多晶硅发射极区上；以及第二导电触点结构，其设置在所述第二多晶硅发射极区上。