[发明专利]包括扩散中断区的半导体器件在审
| 申请号： | 201910525070.1 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110828569A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 朴俊模;金柱然;罗炯柱;俞尚旼;黄义澈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件和形成半导体器件的方法。半导体器件可以包括包含第一区和第二区的衬底、在第一区上沿第一方向延伸的第一有源鳍、在第二区上与第一有源鳍平行延伸的第二有源鳍、以及在两个第一有源鳍之间的单扩散中断区。单扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还可以包括在两个第二有源鳍之间并沿不同于第一方向的第二方向延伸的下扩散中断区、以及在下扩散中断区上的上扩散中断区。上扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开，每个上扩散中断区可以重叠下扩散中断区。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 扩散 中断 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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