[发明专利]顶栅结构及其制备方法、阵列基板、显示设备有效
| 申请号： | 201910527753.0 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110223990B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 宋威;赵策;丁远奎;王明;金憘槻;胡迎宾;王庆贺;李伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张京波;曲鹏 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种顶栅结构及其制备方法、阵列基板、显示设备。顶栅结构包括栅绝缘层以及形成于所述栅绝缘层之上的栅极层，所述栅极层覆盖部分栅绝缘层，将另一部分栅绝缘层暴露形成栅绝缘层凸部，其特征在于，还包括形成于所述栅极层之上的补偿层，所述补偿层将所述栅绝缘层凸部覆盖；本发明有效降低DGS不良，提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制备 方法 阵列 显示 设备 | ||
【主权项】：
1.一种顶栅结构，包括栅绝缘层以及形成于所述栅绝缘层之上的栅极层，所述栅极层覆盖部分栅绝缘层，将另一部分栅绝缘层暴露形成栅绝缘层凸部，其特征在于，还包括形成于所述栅极层之上的补偿层，所述补偿层将所述栅绝缘层凸部覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
