[发明专利]一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用，该制备方法包括：将过渡金属源均匀铺设于两块衬底之间，制备成夹层结构；将夹层结构进行热处理，使两块衬底熔融粘合在一起，再将硫族元素源与熔融粘合后的夹层结构在保护气体的保护下进行化学气相沉积反应，其中过渡金属源在反应温度下受热溶解、扩散，并在衬底的表面析出，与硫族元素源反应；其中，硫族元素源包括硫源、硒源、碲源中的一种或多种。通过以上方式，本发明通过采用“溶解‑析出”原理与化学气相沉积反应相结合以制备过渡金属硫族化合物薄层材料，其制作工艺简单易行，过程可控，所制得的过渡金属硫族化合物薄层材料在厘米级范围内均匀分布，形貌良好，光学、电学等性能优异，具有广阔的应用前景。

主权项

1.一种过渡金属硫族化合物薄层材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将过渡金属源均匀铺设于两块衬底之间，制备成夹层结构；S2、将所述夹层结构进行热处理，使两块衬底熔融粘合在一起；S3、将硫族元素源和步骤S2处理后的夹层结构在保护气体的保护下进行化学气相沉积反应；所述过渡金属源在反应温度下受热溶解、扩散，并在所述衬底表面析出，与所述硫族元素源反应；所述硫族元素源包括硫源、硒源、碲源中的一种或多种。