[发明专利]半导体器件和制造其的方法有效
| 申请号： | 201910530743.2 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110648976B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 丁少锋;朴小螺;安正勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可以提供一种半导体器件，其包括：衬底，具有第一表面和面对第一表面的第二表面，衬底具有通路孔，通路孔从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；在通路孔中的穿通通路；在衬底的第一表面上的半导体部件；以及内部缓冲结构，与通路孔间隔开并在通路孔与半导体部件之间，内部缓冲结构从衬底的第一表面朝向衬底的内部延伸，内部缓冲结构的顶端在比穿通通路的顶端高的水平处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底，具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面，所述衬底具有通路孔，所述通路孔从所述衬底的所述第一表面朝向所述衬底的所述第二表面延伸；/n在所述通路孔中的穿通通路；/n在所述衬底的所述第一表面上的半导体部件；以及/n内部缓冲结构，与所述通路孔间隔开并且在所述通路孔与所述半导体部件之间，所述内部缓冲结构从所述衬底的所述第一表面朝向所述衬底的内部延伸，所述内部缓冲结构的顶端在比所述穿通通路的顶端高的水平处。/n
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