[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示面板有效
| 申请号： | 201910531872.3 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110197831B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 宋威;赵策;丁远奎;王明;刘宁;胡迎宾;彭俊林;倪柳松 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种阵列基板及其制作方法和显示面板，用于降低显示器件发生DGS的概率，提高阵列基板的良率。其中的阵列基板包括：衬底基板、覆盖于所述衬底基板上的有源层、覆盖于所述有源层上的栅极绝缘层、覆盖于所述栅极绝缘层上的栅极，以及覆盖于所述栅极上的源漏极金属层；其中，所述阵列基板包括控制区和金属走线区，沿所述有源层的沟道延伸方向，位于所述金属走线区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第一长度差值，位于所述控制区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第二长度差值，所述第一长度差值小于所述第二长度差值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板、覆盖于所述衬底基板上的有源层、覆盖于所述有源层上的栅极绝缘层、覆盖于所述栅极绝缘层上的栅极，以及覆盖于所述栅极上的源漏极金属层；其中，所述阵列基板包括控制区和金属走线区，沿所述有源层的沟道延伸方向，位于所述金属走线区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第一长度差值，位于所述控制区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第二长度差值，所述第一长度差值小于所述第二长度差值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910531872.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：3D NAND存储器及其形成方法
- 下一篇：包括分隔图案的图像传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
