[发明专利]基底加工方法在审
| 申请号： | 201910533674.0 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110739198A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 堅固山裕子;吉田嵩志 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 11335 北京汇信合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李宏悦 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 基底加工方法的示例包括：使放置在基座上的基底经受等离子体加工；向面对所述基座的射频电极只施加预定的静电去除时间的功率以产生等离子体，由此减少所述基底的电荷量；在使基座销从所述基座的顶表面突出并且提起所述基底的同时测量所述射频电极的自偏压；以及通过控制器，当所述自偏压具有正值时缩短所述静电去除时间，并且当所述自偏压具有负值时加长所述静电去除时间。 | ||
| 搜索关键词： | 静电去除 自偏压 基底 射频电极 等离子体 等离子体加工 基底加工 控制器 电荷量 顶表面 加长 测量 施加 | ||
【主权项】：
1.一种基底加工方法，包括：/n使放置在基座上的基底经受等离子体加工；/n向面对所述基座的射频电极只施加预定的静电去除时间的功率以产生等离子体，由此减少所述基底的电荷量；/n在使基座销从所述基座的顶表面突出并且提起所述基底的同时测量所述射频电极的自偏压；以及/n通过控制器，当所述自偏压具有正值时缩短所述静电去除时间，并且当所述自偏压具有负值时加长所述静电去除时间。/n
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