[发明专利]一种用于MOSFET驱动的驱动电路在审
| 申请号： | 201910535168.5 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110401330A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 沈雪欢;周超;何志强 | 申请（专利权）人： | 浙江亚特电器有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 | 代理人： | 胡铁锋 |
| 地址： | 314009 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电学领域，尤其涉及一种用于MOSFET驱动的驱动电路，包括：开关电路和分压电路；所述开关电路的第一端与第一控制端连接，第二端与分压电路连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路导通时，将MOSFET的栅极电压拉到公共地电压；所述分压电路的第一端与第二控制端以及开关电路连接，第二端与MOSFET的栅极连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路断开时，拉高MOSFET的栅极电压以驱动MOSFET。本发明具备以下有益效果：1.当开关电路导通时，能够将MOSFET的栅极电压迅速拉到公共地电压，从而使得MOSFET的迅速断开；2.同时简化电路结构，只需要一个三极管就能实现MOSFET的驱动，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 开关电路 公共地 分压电路 栅极电压 驱动电路 第一端 控制端 导通 断开 简化电路结构 电学领域 栅极连接 驱动 三极管 节约 | ||
【主权项】：
1.一种用于MOSFET驱动的驱动电路，其特征在于，包括：开关电路和分压电路；所述开关电路的第一端与第一控制端连接，第二端与分压电路连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路导通时，将MOSFET的栅极电压拉到公共地电压；所述分压电路的第一端与第二控制端以及开关电路连接，第二端与MOSFET的栅极连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路断开时，拉高MOSFET的栅极电压以驱动MOSFET。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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