[发明专利]具有位于重分布层下方的复合阻挡层的半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910536378.6 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110364502A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 吴俊谕;商育伟;康安祺 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的机制，该半导体结构具有位于重分布层下方的复合阻挡层。半导体结构包括：衬底、钝化层、复合阻挡层以及重分布层(RDL)，衬底包括位于衬底上的顶部金属层；钝化层位于顶部金属层上方并且具有位于其中并暴露顶部金属层的开口；复合阻挡层位于钝化层和开口上方，该复合阻挡层包括中心层、底层以及上层，其中中心层夹在底层和上层之间；以及重分布层(RDL)位于复合阻挡层上方并与下面的顶部金属层电连接。本发明涉及具有位于重分布层下方的复合阻挡层的半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 复合阻挡层 半导体结构 重分布层 顶部金属层 钝化层 衬底 中心层 开口 上层 电连接 制造 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底，包括位于所述衬底上的顶部金属层；钝化层，位于所述顶部金属层上方，所述钝化层中具有暴露所述顶部金属层并延伸至所述顶部金属层中的开口；复合阻挡层，位于所述钝化层和所述开口上方，所述复合阻挡层包括：底层，位于所述钝化层和所述开口上方并且部分地位于所述顶部金属层中；中心层，位于所述底层上方；和上层，位于所述中心层上方；以及重分布层(RDL)，位于所述复合阻挡层的上方并且与下面的所述顶部金属层电连接。
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