[发明专利]一种碲镉汞芯片及其加工方法

摘要

本发明提出了一种碲镉汞芯片及其加工方法，根据本发明的碲镉汞芯片，包括：碲镉汞层和电路层，碲镉汞层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面设有P型电极，第二表面设有N型电极，电路层与P型电极和N型电极均连接。根据本发明的碲镉汞芯片，通过将P型电极和N型电极分别设置在碲镉汞层的相对的第一表面和第二表面上，便于碲镉汞芯片的加工，且便于对碲镉汞芯片的检测和维修。而且，有利于提高电场的均匀性，降低响应率的非均匀性，从而提高了红外焦平面的探测性能。另外，大幅提高了探测器注入区面积及占空比，从而提高红外探测器的探测能力。

主权项

1.一种碲镉汞芯片，其特征在于，包括：碲镉汞层，所述碲镉汞层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面设有P型电极，所述第二表面设有N型电极；电路层，所述电路层与所述P型电极和所述N型电极均连接。