[发明专利]一种高纯四氟化硅的合成及纯化方法有效
申请号: | 201910536842.1 | 申请日: | 2019-06-20 |
公开(公告)号: | CN110606490B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 马建修;王新鹏;杜文东;张杰;崔录芳 | 申请(专利权)人: | 绿菱电子材料(天津)有限公司;天津绿菱气体有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人: | 任林芳 |
地址: | 301714 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提出一种高纯四氟化硅的合成及纯化方法。一种高纯四氟化硅的合成及纯化方法,包括以下步骤:氟硅酸盐的预处理;氟硅酸盐经裂解反应制备四氟化硅粗料;在第一吸附工段脱除痕量水分及酸性气体;在第二吸附工段对氟硅醚进行脱除与阻聚控制;在精馏工段对轻组分和重组分进行分离;通过复杂精馏工段对恒沸物杂质进行分离。本发明提出的高纯四氟化硅的合成及纯化方法,其将加热裂解、吸附单元操作、精馏和复杂精馏科学组合,通过采用吸附单元脱除氟硅醚,通过常规精馏单元操作后增加复杂精馏工艺去除恒沸物。 | ||
搜索关键词: | 一种 高纯 氟化 合成 纯化 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高纯四氟化硅的合成及纯化方法,其特征在于,其包括以下步骤:/nS1步骤:氟硅酸盐的预处理;/nS2步骤:氟硅酸盐经裂解反应制备四氟化硅粗料;/nS3步骤:在第一吸附工段脱除痕量水分及酸性气体;/nS4步骤:在第二吸附工段对氟硅醚进行脱除与阻聚控制;/nS5步骤:在精馏工段对轻组分和重组分进行分离;/nS6步骤:通过复杂精馏工段对恒沸物杂质进行分离。/n
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