[发明专利]多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构在审
| 申请号： | 201910547353.6 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112216599A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 李蕙如 | 申请（专利权）人： | 培英半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/308;H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/12;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 郭化雨 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光学挡墙结构，其包括一基板、一第一挡墙层及一第二挡墙层，基板具有一工作面，第一挡墙层形成于工作面上，且第一挡墙层围构一裸露工作面的第一开窗；第二挡墙层形成于第一挡墙层上，且第二挡墙层围构一第二开窗，第二挡墙层的横截面积小于第一挡墙层，且第二开窗的轮廓大于第一开窗。本发明还提供前述光学挡墙结构的制作方法，是通过分别对第一、第二挡墙膜局部光固化后，再一次蚀刻的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 光固化 一次 蚀刻 形成 光学 挡墙 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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