[发明专利]一种多层结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种多层结构以及制备方法，所述多层结构包括基材、在所述基材上形成的过渡层以及在过渡层上形成的膜层，所述制备方法包括如下步骤：S1、基材的预处理：将基材通过等离子体放电进行清洁和活化；S2、过渡层的制备：通过等离子体放电在基材表面沉积一层过渡层；S3、膜层的制备：通过等离子体放电在过渡层上沉积膜层：S4、后处理：使膜层固化。本发明可以增强膜层和基材的结合力，并提高膜层的机械强度。

主权项

1.一种多层结构的制备方法，其特征在于，所述多层结构包括基材、在所述基材上形成的过渡层以及在过渡层上形成的膜层，所述制备方法包括如下步骤：S1、基材的预处理：将基材置于反应腔室中，通过等离子体放电，对所述基材进行清洁和活化；S2、过渡层的制备：控制反应腔室温度为20～150℃，通入第一单体蒸汽，气体流量控制在10～500μL min^‑1，反应腔室真空度控制在10～1000mTorr范围内，开启等离子体电源进行等离子体放电，使所述第一单体在基材表面进行化学气相沉积形成所述过渡层，其中所述第一单体为含环氧基的单体和/或含乙烯基的硅烷偶联剂；S3、膜层的制备：控制反应腔室温度为20～150℃，通入第二单体蒸汽，气体流量控制在10～500μL min^‑1，当真空度在30～1000mTorr范围内时，开启等离子体电源进行等离子体放电，使所述第二单体在过渡层表面进行化学气相沉积形成所述膜层，其中，所述第二单体包括含氟且含乙烯基的单体以及多官能团单体，在所述第二单体蒸汽中，所述多官能团单体所占的质量分数大于0％且小于等于50％；S4、后处理：停止通入第二单体蒸汽、停止抽真空，并停止等离子体放电后，保持反应腔室温度为20～150℃，保持真空度在10～1000mTorr，保持5～30min，使膜层固化，通入惰性气体使反应腔室压力升高，然后取出基材。