[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该制造方法包括：在叠层结构上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成至少一组牺牲叠层，每组牺牲叠层包括第一掩模层和位于第一掩模层上的第二缓冲层；在牺牲叠层上形成第二掩模层；形成覆盖第二掩模层与切割区的填充层；对填充层进行退火处理；研磨填充层，并停止于第二掩模层；去除第二掩模层以暴露牺牲叠层；同时研磨第二缓冲层和部分填充层，并停止于第一掩膜层；去除第一掩膜层；以及研磨填充层，并停止于第一缓冲层。通过该制造方法不但修复了因退火步骤导致的器件区与切割区的高度差，而且修复了由于填充层沉积不均匀的而导致的高度差，使得3D存储器件的表面更加平坦。

主权项

1.一种3D存储器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成叠层结构，所述半导体衬底包括器件区与切割区，所述叠层结构位于所述器件区，所述切割区位于所述器件区的一侧；在所述叠层结构上形成第一缓冲层；在所述第一缓冲层上形成至少一组牺牲叠层，每组所述牺牲叠层包括第一掩模层和位于所述第一掩模层上的第二缓冲层；在所述牺牲叠层上形成第二掩模层；形成覆盖所述第二掩模层与所述切割区的填充层；对所述填充层进行退火处理；研磨所述填充层，并停止于所述第二掩模层；去除所述第二掩模层以暴露所述牺牲叠层；通过去除每组所述牺牲叠层，对所述填充层进行初步平坦化；以及研磨所述填充层，并停止于所述第一缓冲层，其中，去除每组所述牺牲叠层的步骤包括：同时研磨所述第二缓冲层和部分所述填充层，并停止于所述第一掩膜层；以及去除所述第一掩膜层。