[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910553164.X | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110660724A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 曹九荣;申秀斌;卢东贤;丁炳硕;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/11 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，其包括：衬底；从衬底突出的多个有源图案；在有源图案之间的器件隔离层；以及钝化层，覆盖器件隔离层的顶表面并暴露有源图案的上部。器件隔离层包括与有源图案的相面对的侧壁相邻的多个第一隔离部、以及在第一隔离部之间的第二隔离部。第二隔离部的顶表面位于比第一隔离部的顶表面的水平低的水平处。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离部 源图案 顶表面 器件隔离层 衬底 半导体器件 覆盖器件 钝化层 隔离层 水平处 侧壁 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n多个有源图案，相对于所述衬底突出；/n器件隔离层，在所述多个有源图案之间；以及/n钝化层，覆盖所述器件隔离层的顶表面并且暴露所述多个有源图案的上部，/n其中所述器件隔离层包括：/n多个第一隔离部，与所述多个有源图案的相面对的侧壁相邻；和/n第二隔离部，在所述多个第一隔离部之间，/n其中所述第二隔离部的顶表面位于比所述多个第一隔离部的顶表面低的垂直水平处。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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