[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在粘合层上形成光刻胶层之后，利用光刻技术形成刻蚀图形时，非引出区上对应的掩膜版的图形为亚分辨率辅助图形，引出区上对应的掩膜版的图形为可曝光图形，这样，在光刻工艺中，亚分辨率辅助图形对应的光刻胶层中将形成具有部分曝光深度的第一部分曝光区，而在可曝光图形对应的光刻胶层中将形成完全曝光的曝光图形，利用该光刻胶层进行粘合层的各项异性刻蚀后，同时在部分厚度粘合层中形成开口以及贯穿粘合层的过孔。这样，通过一次刻蚀工艺，同时形成开口和过孔，开口则用于过孔填充工艺时平坦化过程中的负载均衡，实现平坦化过程中的负载均衡，同时降低制造成本。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质材料的覆盖层，所述覆盖层中形成有顶层连线层；在所述覆盖层上形成粘合层，所述粘合层包括引出区和非引出区，所述引出区位于所述顶层连线层之上；在所述粘合层上形成光刻胶层，并进行光刻工艺，将掩膜版的图形成像至所述光刻胶层，所述掩膜版的图形包括：对应于所述非引出区且为亚分辨率辅助图形的第一图形，以及对应于所述引出区且可曝光的第二图形，所述非引出区的光刻胶层中形成有与所述第一图形所在区域对应且仅具有部分曝光深度的第一部分曝光区，以及在所述引出区的光刻胶层中形成有第二图形的曝光图形；利用所述光刻胶层，进行所述粘合层的各项异性刻蚀，以同时在所述第一部分曝光区下的部分厚度的粘合层中形成第一开口，以及在所述曝光图形下的粘合层中形成贯穿至所述顶层连线层的过孔；进行导电材料填充及平坦化工艺。