[发明专利]制作增强UTBB FDSOI器件的方法和结构有效
| 申请号： | 201910556125.5 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN110211882B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 柳青;T·斯科特尼基 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/12;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及制作增强UTBB FDSOI器件的方法和结构。一种集成电路裸片包括具有第一半导体材料层、在第一半导体材料层上的电介质材料层以及在电介质材料层上的第二半导体材料层的衬底。晶体管的延伸沟道区域被定位在第二半导体材料层中，与第二半导体材料层的顶表面、侧表面以及潜在地底表面的部分相互作用。栅极电介质被定位在第二半导体材料层的顶表面上和暴露的侧表面上。栅极电极被定位在第二半导体材料层的顶表面和暴露的侧表面上的栅极电介质上。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 增强 utbb fdsoi 器件 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在第二半导体层上形成第一半导体层；形成沟槽，所述沟槽具有穿过第一半导体层并至少进入第二半导体层的第一部分和第二部分，所述形成沟槽包括暴露所述第一半导体层的顶表面和侧表面；在所述沟槽的所述第一部分和所述第二部分中形成绝缘层，所述绝缘层具有在所述第一半导体的底表面下方的顶表面；以及在所述第一半导体层的所述顶表面和所述侧表面上形成栅极结构，所述形成栅极结构包括在所述第一半导体层的顶表面上形成第一部分和在所述沟槽的所述第一部分和所述第二部分中延伸的第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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