[发明专利]沟槽栅极高压晶体管、集成电路及其形成方法有效
| 申请号： | 201910556253.X | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110649035B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 吴伟成;亚历山大·卡尔尼斯基;张健宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11573 | 分类号： | H01L27/11573;H01L27/11526;H01L27/11531 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的多个实施例涉及IC及相关的形成方法。在一些实施例中，IC包括集成到衬底中的存储器区域和逻辑区域。存储器单元结构设置在所述存储器区域上。多个逻辑器件设置在所述逻辑区域上。第一逻辑器件包括由第一逻辑栅极电介质与所述衬底分离的第一逻辑栅电极。第一逻辑栅极电介质设置为沿着衬底的逻辑器件沟槽的表面，并且第一逻辑栅电极设置在所述逻辑器件沟槽内的所述第一逻辑栅极电介质上。通过将第一逻辑栅电极布置在逻辑器件沟槽内，可以改善由随后的平坦化工艺所导致的金属层损耗、生成的薄层电阻、阈值电压变化及失配问题。本发明的实施例还提供了沟槽栅极高压晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 高压 晶体管 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)，包括：/n存储器区域、逻辑区域和边界区域，集成到衬底中，其中，所述边界区域定义在所述存储器区域和所述逻辑区域之间；/n存储器单元结构，设置在所述存储器区域上，包括分别设置在所述衬底上的一对控制栅电极和设置在所述一对控制栅电极的相对侧上的一对存储器栅电极；以及/n多个逻辑器件，设置在所述逻辑区域上并包括第一逻辑器件，其中，所述第一逻辑器件配置为在第一电压下工作，并且包括由第一逻辑栅极电介质与所述衬底分离的第一逻辑栅电极；/n其中，所述第一逻辑栅极电介质设置为沿着所述衬底的逻辑器件沟槽的表面，并且所述第一逻辑栅电极设置在所述逻辑器件沟槽内的所述第一逻辑栅极电介质上。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
