[发明专利]像素电极、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201910557367.6 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110275357A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 肖诗笛 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种像素电极，所述像素电极包括电极区以及镂空区。所述镂空区分布于所述电极区之间。其中，所述镂空区具有主体部和位于主体部两端的端部，其中所述主体部具有一宽度。至少一端部为膨胀体，其也具有一宽度，所述主体部的宽度小于所述膨胀体的宽度。本发明通过此设计增加背光光源的透过效果，从而改善现有面板的穿透率水准，达到提升对比度和增强续航能力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 主体部 像素电极 镂空区 电极区 膨胀体 背光光源 显示装置 续航能力 阵列基板 穿透率 | ||
【主权项】：
1.一种像素电极，其特征在于，包括电极区，以及至少一镂空区，分布于所述电极区之间；其中，所述镂空区具有主体部和位于主体部两端的端部，其中所述主体部具有一宽度；至少一端部为膨胀体，其也具有一宽度，所述主体部的宽度小于所述膨胀体的宽度。
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