[发明专利]超薄柔性硅太阳电池制备方法在审
| 申请号： | 201910557480.4 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN111916510A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 陈贤刚;杨苗;徐希翔 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18;C30B29/06;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 孟德栋 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种超薄柔性硅太阳电池制备方法，包括，提供硅片；将提供所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光，形成抛光硅片；提供所述抛光硅片浸入碱液和掩膜颗粒的悬浮液中，进行化学制绒，通过本发明实施例提供的技术方案能够制备厚度更均匀的超薄柔性硅太阳电池片，并在硅片上形成的金字塔颗粒的尺寸大小降低到0.1～2μm，这样有利于超薄柔性太阳电池片的光吸收，同时降低的电池片的厚度，能够实现柔性和弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 柔性 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
