[发明专利]硅片减薄的处理方法在审
| 申请号： | 201910557481.9 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN111916339A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 陈贤刚;杨苗;徐希翔 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0236;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 孟德栋 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种硅片减薄的处理方法，包括，提供硅片；将所述硅片浸入各向异性的化学溶液中进行腐蚀减薄，减薄至厚度在90μm以内，通过控制硅片的腐蚀减薄，消除了硅片缺陷损伤层，提升了硅片减薄的均匀性，这样有利于超薄HIT太阳电池片的光吸收，同时降低了金字塔的高度与硅片厚度的比例，有效提升了柔性超薄硅片的韧性，减少了超薄硅片的碎片率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
