[发明专利]一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910565247.0 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110299437B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 陈静;钱建平;汪丽茜;潘江涌;刘城君;雷威 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 金诗琦 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法，所述全无机QLEDs器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃、经表面处理的NiO空穴传输层、CdZnSeS/ZnS量子点层、ZnMgO电子传输层和Al阴极。所述制备方法包括以下步骤：(a)分别采用去离子水、丙酮、异丙醇，清洗ITO导电玻璃；(b)将清洗后的ITO导电玻璃吹干，紫外处理；(c)取出处理后的ITO导电玻璃，旋涂经表面处理的NiO纳米颗粒溶液；(d)取量子点溶液旋涂到步骤(c)所得物上，退火；(e)取ZnMgO纳米颗粒溶液旋涂到步骤(d)所得物上，退火；(f)将步骤(e)所得物抽真空并蒸镀铝膜。本发明通过构建修饰空穴传输层，降低界面电荷猝灭几率，提高载流子浓度，平衡电子与空穴，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 处理 nio 薄膜 无机 qleds 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件，其特征在于：自下而上依次包括ITO导电玻璃(1)、经表面处理的NiO空穴传输层(2)、CdZnSeS/ZnS量子点层(3)、ZnMgO电子传输层(4)和Al阴极(5)。
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