[发明专利]一种膜层结构、膜层结构的制备方法和触控屏在审
| 申请号： | 201910569147.5 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110184567A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 沈登涛;曾一鑫 | 申请（专利权）人： | 信利光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/58;G06F3/041 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 王仲凯 |
| 地址： | 516600 广东省汕*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种膜层结构，包括：基板；位于基板上的BM材料；位于BM材料背离基板的表面的非饱和SiO2膜层；位于非饱和SiO2膜层背离BM材料的表面的IM膜层；位于IM膜层背离非饱和SiO2膜层表面的ITO膜层。可见，本申请通过在BM材料与IM膜层之间增加一个非饱和SiO2膜层，将具有非晶特性的非饱和SiO2膜层作为延缓层，增强了膜层间的附着能力，进而提高了产品的使用寿命。本申请同时还提供了一种膜层结构的制备方法和触控屏，均具有上述有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 膜层结构 基板 背离 触控屏 制备 申请 附着能力 使用寿命 非晶 膜层 延缓 | ||
【主权项】：
1.一种膜层结构，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上的BM材料；位于所述BM材料背离所述基板的表面的非饱和SiO2膜层；位于所述非饱和SiO2膜层背离所述BM材料的表面的IM膜层；位于所述IM膜层背离所述非饱和SiO2膜层表面的ITO膜层。
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