[发明专利]扇出型模块超声封装工艺、设备以及结构有效
| 申请号： | 201910577684.4 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110277324B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 杨冠南;徐广东;匡自亮;崔成强 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67;H01L23/31;H01L21/607;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 巴翠昆 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了扇出型模块超声封装工艺、设备以及结构，其中扇出型模块超声封装工艺包括如下步骤：沿封装体堆叠方向，在基台的顶面平铺有临时键合层，在所述临时键合层顶面间隙放置多个模块，从所述模块顶部注塑以形成包围所述模块的注塑层，且使所述注塑层的底面与所述临时键合层相粘结；对未固化的所述注塑层进行超声驰豫。在该扇出型模块超声封装工艺中，在依次执行平铺临时键合层、放置芯片和注塑形成注塑层后，在注塑层未固化之前，对注塑层采用了超声驰豫，以通过超声驰豫，对注塑层达到释放应力，并减少翘曲的效果，提高了封装质量与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型 模块 超声 封装 工艺 设备 以及 结构 | ||
【主权项】：
1.一种扇出型模块超声封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：沿封装体堆叠方向，在基台的顶面平铺有临时键合层，在所述临时键合层顶面间隙放置多个模块，从所述模块顶部注塑以形成包围所述模块的注塑层，且使所述注塑层的底面与所述临时键合层相粘结；通过超声波探头对未固化的所述注塑层进行超声驰豫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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