[发明专利]一种管式镀膜机二合一方法在审
| 申请号： | 201910578233.2 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110416354A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 赵帅;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 徐州谷阳新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市邳*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种管式镀膜机二合一方法，所述二合一方法将背膜、正膜使用一台镀膜设备，背膜、正膜工序合并，采用机械手将硅片翻转，先加工背膜，待背膜加工完经翻转后加工正膜，减少工序间产品搬运及上下料操作流程。 | ||
| 搜索关键词： | 背膜 二合一 镀膜机 种管 加工 操作流程 产品搬运 镀膜设备 硅片翻转 机械手 膜工序 上下料 翻转 合并 | ||
【主权项】：
1.一种管式镀膜机二合一方法，其特征在于，所述二合一方法将背膜、正膜使用一台镀膜设备，背膜、正膜工序合并，采用机械手将硅片翻转，先加工背膜，待背膜加工完经翻转后加工正膜，减少工序间产品搬运及上下料操作流程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
