[发明专利]测试结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910579197.1 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151505A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张志伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种测试结构及其制作方法，所述测试结构包括：衬底、测试电路、止裂槽和封口层，所述衬底包括切割区；测试电路形成于所述切割区；止裂槽形成于所述切割区，且所述止裂槽排布于所述测试电路的侧部；封口层形成于所述衬底表面，覆盖所述止裂槽以使所述止裂槽内形成气体间隙。通过止裂槽解决了在沿切割道切割晶圆时，由于测试电路中的金属层的影响导致切割道龟裂，将切割应力传递至晶粒区域，进而可能破坏晶粒区的问题，有利于提高产品良品率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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