[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910579439.7 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151595A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的源掺杂层以及凸出于所述源掺杂层的半导体柱，所述半导体柱为T形结构，所述半导体柱包括第一半导体柱以及位于所述第一半导体柱上的第二半导体柱，所述第二半导体柱的宽度大于所述第一半导体柱的宽度；形成栅极结构，所述栅极结构包围所述第一半导体柱的部分侧壁，所述栅极结构露出所述第二半导体柱；在所述第二半导体柱的顶部形成漏掺杂层。本发明实施例有利于提升半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910579439.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁共振成像系统及用于其的散热装置
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
