[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910589721.3 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN111696923A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 大野天颂;藤田努;久米一平;友野章 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/78;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备器件层、反射率降低层及改质层。所述器件层配置在半导体衬底的第1区域的第1面上。所述反射率降低层被配置在所述半导体衬底的设置在所述第1区域周围的第2区域的所述第1面上，且使反射率与所述第1面上配置有金属膜时从与所述第1面对向的第2面侧入射的激光的反射率相比降低。所述改质层被设置在所述第2区域的所述半导体衬底的侧面。所述第2区域的所述半导体衬底的侧面是在所述半导体衬底中伸展的切断面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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